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    本發明提供一種電磁屏蔽墊料及其製造方法，其中藉由在開孔型發泡體上根據適當比率電鍍Co/Ni合金層來達成良好電導率及磁擴散率，且該墊料可同時對電場及磁場實現屏蔽功能。
    公开号:TW201302048A
    申请号:TW101118236
    申请日:2012-05-22
    公开日:2013-01-01
    发明作者:Wei-De Liu；Jing Fang
    申请人:3M Innovative Properties Co；
    IPC主号:H05K9-00
    专利说明:
    電磁屏蔽墊料及其製造方法
    本發明係關於電磁屏蔽技術，且更特定言之，係關於一種適用於屏蔽電磁干擾(EMI)/射頻干擾(RFI)之電磁屏蔽墊料。本發明亦關於一種製造該電磁屏蔽墊料之方法。
    電磁干擾(EMI)為電子/電裝置中所產生或自電子/電裝置中輻射之不合需要之電磁放射部分，且對電子/電裝置之正常操作造成干擾。理論上，此種電磁干擾可在電磁光譜之任何頻帶下發生。射頻干擾(RFI)往往伴隨電磁干擾(EMI)。實際上，射頻干擾(RFI)侷限於電磁頻譜之射頻頻帶，亦即10 KHz至100 GHz之頻帶。
    為有效防止電磁干擾(EMI)/射頻干擾(RFI)，通常在電磁干擾/射頻干擾源與需要保護之區域之間置放屏蔽元件。此屏蔽元件用於防止電磁能自電磁干擾/射頻干擾源輻射。同樣，其亦可用於防止外部電磁能進入電磁干擾/射頻干擾源。
    一般而言，屏蔽元件呈導電外殼形式，其可例如經由PCB板上之接地導線接地。在先前技術中，此導電外殼可由電磁屏蔽墊料材料整體形成。此外，在工程實施中，由於內部電路或結構之態樣的需要而可在導電外殼上製造凹槽；藉此在屏蔽元件上形成間隙。在此種情況下，可使用屏蔽墊料來填充屏蔽元件上所形成之間隙，以防止電磁能自電磁干擾/射頻干擾源輻射，或防止外部電磁能進入電子/電裝置。
    近年來，電子/電裝置，諸如攜帶型行動電話、PDA及導航系統，變得愈來愈小，且要求其具有良好可攜性。一方面，在個人攜帶或運輸期間，為防止粉塵或濕氣進入此等通信裝置之核心，例如LCD模組內部，且防止由碰撞、落地及其類似事件所致的對模組之衝擊及振動，必需在電子/電裝置中所用之電子模組外安裝具有強衝擊及振動吸收功能的吸收性墊料材料。通常，此種吸收性墊料材料由諸如聚胺基甲酸酯發泡體之微孔材料組成，以便該材料具有一定程度的回彈性及回復性。另一方面，隨著此等電子通信裝置中使用LCD模組之螢幕的增大以及功能多樣化，諸如影像及文字通信以及數位攝影，電子/電裝置中所用之電路及電子模組變得對裝置內部及外部所產生之靜電、電磁波、磁場極其敏感，且變得易受內部及外部電磁干擾/射頻干擾源影響。
    為此，要求上述電子/電裝置中之吸收性墊料材料不僅具有強衝擊及振動吸收功能，而且在電子/電裝置內部之狹窄空間中具有無間隙密封功能，並且對電子/電裝置內部及外部所產生之電磁干擾(EMI)/射頻干擾(RFI)具有屏蔽功能。
    US 6,309,742揭示藉由在開孔型發泡體上沈積金屬材料層而製造的屏蔽墊料。由於所沈積之金屬材料可透入開孔型發泡體中，因此其提供具有良好電導率之開孔型發泡體。因此，墊料材料可模切成各種形狀或成形為屏蔽元件，且可用於填充在電子/電裝置中或覆蓋在其周圍，接著可利用其電導率來屏蔽電子/電裝置內部及外部所產生之電磁干擾(EMI)/射頻干擾(RFI)。然而，上述先前技術具有一些缺點及問題。雖然墊料材料具有一定程度的電導率且因此對靜電及電場具有良好屏蔽效能，但其對電子/電裝置內部及外部所產生之磁場，尤其對近地磁場的屏蔽效能不能令人滿意。
    因此，需要可同時有效屏蔽電場及磁場的電磁屏蔽墊料。
    本發明之目標在於提供一種電磁屏蔽墊料，其可同時對電場及磁場實現屏蔽功能。
    根據本發明之一個態樣，提供一種電磁屏蔽墊料，其包含發泡體基板及沈積於該發泡體基板上之金屬層，其中該金屬層含有鎳及鈷，且Co/(Co+Ni)之比率為0.2重量%至85重量%。
    根據本發明之另一態樣，提供一種製造電磁屏蔽墊料之方法，該方法包含以下步驟：對發泡體基板進行預金屬化處理；及對該經預金屬化之發泡體基板進行金屬化處理，獲得包含Co及Ni之金屬層。
    本發明之電磁屏蔽墊料可同時對電場及磁場實現屏蔽功能。
    除非另外規定，否則本發明中所述之所有百分比及比率均以重量計。
    在本發明之電磁屏蔽墊料中，發泡體基板為開孔型發泡體，其中分佈有小孔。發泡體基板之材料無限制，只要其具有彈性且在外力下具有預定回復性即可。
    在本發明之一個實施例中，電磁屏蔽墊料之發泡體基板為由彈性聚合物材料或熱彈性體用發泡製程製成的開孔型發泡體。彈性聚合物材料為例如聚胺基甲酸酯、聚氯乙烯、聚矽氧樹脂、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物(EVA)、聚乙烯及其類似物。
    在本發明之一個實施例中，電磁屏蔽墊料之發泡體基板之厚度為0.1 mm至50 mm，較佳為0.1 mm至10 mm，更佳為0.5 mm至5 mm，且最佳為1.0 mm至3.0 mm。若厚度小於0.1 mm，則發泡體基板可能喪失其壓縮性及回彈性；且若厚度大於50 mm，則其在垂直方向上的電導率在金屬沈積於發泡體基板上之後將傾向於降低。
    一方面，為提供能夠吸收衝擊且阻擋振動的發泡體基板，同時為在將電磁屏蔽墊料壓入預定間隙中時確保緊密密封，發泡體基板在有外力施加於其上時有必要具有一定程度的壓縮性。在本發明之一個實施例中，電磁屏蔽墊料之發泡體基板之可壓縮變形相對於初始厚度為50%或50%以上，較佳為70%或70%以上，更佳為80%或80%以上，且最佳為90%或90%以上。若可壓縮變形相對於初始厚度小於50%，則對強衝擊及振動之吸收將傾向於不足。如本文所用之可壓縮變形為壓力不超過50 PSI下之值。
    另一方面，發泡體基板在自發泡體基板撤除外力時需要具有一定程度的回復性。在本發明之一個實施例中，電磁屏蔽墊料之發泡體基板之殘餘變形為50%或50%以下，較佳為30%或30%以下，更佳為20%或20%以下，且最佳為10%或10%以下。若發泡體基板之殘餘變形(永久變形)大於50%，則其強衝擊及振動吸收功能及無間隙密封功能在長期使用後將傾向於降低。
    在本發明之一個實施例中，電磁屏蔽墊料之發泡體基板之孔隙率為10 ppi至500 ppi，較佳為50 ppi至300 ppi，更佳為50 ppi至200 ppi，且最佳為80 ppi至150 ppi。若發泡體基板之孔隙率低於10 ppi，則其將難以實現金屬層沈積；若孔隙率高於500 ppi，則發泡體基板之機械強度將傾向於不足。可使用真空蒸發塗佈、電鍍或化學電鍍及其類似技術在開孔型發泡體基板上沈積含有Co及Ni之金屬層，以便開孔型發泡體基板具有良好電導率及磁擴散率。
    在本發明之一個實施例中，提供一種電磁屏蔽墊料，其包含發泡體基板及沈積於該發泡體基板上之金屬層，且該金屬層含有鎳及鈷，其中Co/(Co+Ni)之比率為0.2重量%至85重量%，在一個較佳實施例中為2重量%至70重量%，在一個更佳實施例中為5重量%至50重量%，且在最佳實施例中為5重量%至35重量%。由於開孔型發泡體基板具有許多微小開孔，因此在金屬層沈積於開孔型發泡體基板上之後，開孔型發泡體基板不僅獲得表面電導率，而且在開孔型發泡體基板上在垂直方向及其他方向上獲得自由電導率，從而形成具有良好連續電導率之三維發泡體結構。由於金屬層含有Co，因此電鍍發泡體之鐵磁性亦增加。Co/Ni合金中之鈷含量對達成本發明之目標非常重要。當Co/Ni比例達到某一值時，其磁擴散率將顯著增加。為達成良好磁擴散率，Co/Ni合金中之鈷含量必須控制在上述範圍內。在本發明中，藉由例如控制電鍍溶液中之Co2+及Ni2+離子之比率來達成該目標。當Co/(Co+Ni)之重量比超出該範圍時，將難以在維持良好電導率的同時達成相對明顯有利之磁性結果。
    在本發明之一個實施例中，上面沈積有鎳及鈷層之發泡體基板之(Co+Ni)/發泡體的比率為1重量%至50重量%，較佳為2重量%至30重量%，更佳為3重量%至20重量%，且最佳為5重量%至10重量%。金屬沈積層之厚度為10 nm至2000 nm，較佳為50 nm至1800 nm，更佳為100 nm至1500 nm，且最佳為200 nm至1000 nm。當(Co+Ni)/發泡體之重量比或金屬沈積層之厚度在上述範圍內時，電磁屏蔽墊料可提供良好電場及磁場屏蔽功能，且可具有適當回彈性及回復性。隨著(Co+Ni)/發泡體之重量比或金屬沈積層之厚度增加，電磁屏蔽墊料之回彈性及回復性降低。
    在本發明之一個實施例中，沈積於發泡體基板上之金屬層進一步包含選自鉬、錳、銅、鉻或其組合之金屬。在上面沈積有金屬層之發泡體基板中，金屬總重量與發泡體重量的比率為1%至50%，較佳為2%至40%，更佳為3%至30%，最佳為5%至20%。金屬沈積層之厚度為10 nm至2000 nm，較佳為50 nm至1800 nm，更佳為100 nm至1500 nm，且最佳為200 nm至1000 nm。當金屬總重量與發泡體重量之比率或金屬沈積層之厚度在上述範圍內時，電磁屏蔽墊料可實現良好電場及磁場屏蔽功能，且可具有適當回彈性及回復性。隨著金屬總重量與發泡體重量之比率增加或隨著金屬沈積層之厚度增加，電磁屏蔽墊料之回彈性及回復性降低。
    在本發明之另一實施例中，在沈積於發泡體基板上之金屬層上進一步塗佈聚合物層，例如聚胺基甲酸酯層。聚合物層主要具有抗金屬層氧化及保護金屬層的功能。
    在本發明之一個實施例中，電磁屏蔽墊料之拉伸強度為0.1 N/in至100 N/in，較佳為0.3 N/in至80 N/in，更佳為0.6 N/in至50 N/in，且最佳為1 N/in至30 N/in。若電磁屏蔽墊料之拉伸強度低於0.1 N/in，則電磁屏蔽墊料之加工性質將不良。在本發明中，根據ASTM D 1000標準，使用用於測試斷裂拉伸強度的標準1 in寬樣本進行拉伸強度測試。
    在本發明之一個實施例中，電磁屏蔽墊料之表面電阻為1 mΩ/γ至2000 mΩ/γ，較佳為5 mΩ/γ至1000 mΩ/γ，更佳為10 mΩ/γ至800 mΩ/γ，且最佳為20 mΩ/γ至500 mΩ/γ。若電磁屏蔽墊料之表面電阻高於2000 mΩ/γ，則電磁屏蔽墊料之電磁屏蔽功能將傾向於不足。
    在本發明之一個實施例中，電磁屏蔽墊料之標準鐵磁性吸引距離超過1.5 cm，較佳超過1.8 cm，更佳超過2 cm，最佳超過2.5 cm。在本發明中，由於藉助於在發泡體基板上沈積最佳化之Co/Ni鐵磁性塗層來增加發泡體之總磁擴散率，因此不適合使用習知軟磁材料測試方法來測試此材料，因為發泡體基板係柔軟且高度可壓縮。然而，由於磁擴散率為評估軟磁材料之鐵磁性的重要參考參數，因此磁擴散率之量值表徵同一量值磁力下作用之量值，亦即每單位面積的磁力線強度(密度)。通常密度愈高，軟磁性愈佳，且所展現之吸引力愈強。基於此理論，在本發明中使用標準永久磁體作為恆定外部磁場，且永久磁體提供作用於金屬化(磁化)發泡體樣本上之恆定磁力。為表徵磁力之量值，在本發明中使用一片恆重發泡體作為負載以基於發生作用之距離來確定吸引力之量值。應理解，若發泡體重量相同，則當外部磁場強度(力)相同時，吸引距離愈長意謂發泡體樣本之磁擴散率愈佳及磁性愈強。本發明之電磁屏蔽墊料具有較長吸引距離且展現較佳磁性。
    在本發明之一個實施例中，電磁屏蔽墊料之可壓縮變形相對於初始厚度超過30%，較佳為相對於初始厚度超過50%，更佳為相對於初始厚度超過70%，且最佳為相對於初始厚度超過80%。若可壓縮變形相對於初始厚度小於30%，則對強衝擊及振動之吸收將傾向於不足。
    在本發明之一個實施例中，電磁屏蔽墊料之殘餘變形(永久變形)小於50%，較佳小於30%，更佳小於20%，且最佳小於10%。若電磁屏蔽墊料之殘餘變形(永久變形)超過50%，則其強衝擊及振動吸收功能以及無間隙密封功能在長期使用後將傾向於降低。
    除金屬電鍍發泡體以外，本發明之電磁屏蔽墊料亦可具有額外功能層，諸如導電層、剝離型紙(release paper)等。額外層由黏著劑黏結至發泡體。黏著劑可為導電黏著劑或非導電黏著劑。當使用非導電黏著劑時，其可對電磁屏蔽墊料之電場屏蔽效能具有一定影響。較佳使用導電黏著劑作為黏著劑。
    導電黏著劑可藉由向丙烯酸系黏著劑中添加適當比例之導電粒子來製造。導電粒子之量使得例如(導電粒子)/(導電粒子+黏著劑)之比率為3重量%至60重量%。導電粒子可為例如鎳粉、銀粉、經銀塗佈之玻璃、經銀塗佈之銅粉、石墨粉(碳粉)、複合導電粒子及其類似物。
    導電層可為各種類型之金屬箔，包括銅箔，且其亦可為各種類型之金屬化織物或非編織織物及其類似物。
    本發明亦提供製造電磁屏蔽墊料之方法，該方法包含以下步驟：對發泡體基板進行預金屬化處理；及對經預處理之發泡體基板進行金屬化處理，獲得含有Co及Ni之金屬層。在該製程中，預金屬化處理為後續金屬化處理提供必要的準備。其藉由真空製程在發泡體基板上沈積金屬Ni或具有相似電位之其他金屬(諸如Pb)之薄層。發泡體織物上之金屬層並非連續層，且主要充當後續金屬化處理中之沈積核心，例如充當水溶液電鍍中Co2+及Ni2+沈積之核心，以確保Co2+及Ni2+有效沈積，使得Co2+及Ni2+離子能夠同時遷移至發泡體基板上，且形成實質上均勻、緻密且可靠的Co/Ni合金塗層。預金屬化處理可例如藉由真空蒸發塗佈、化學氣相沈積、電漿濺鍍或電漿化學氣相沈積來實現。金屬化處理可藉由真空蒸發塗佈、電鍍或化學電鍍及其類似技術來實現，例如藉由水溶液電鍍。
    為使電鍍發泡體具有良好鐵磁性，應適當控制電鍍溶液中Co2+離子與Ni2+離子之比率以確保所得金屬層中之鈷含量在適當範圍內。在本發明中，電鍍溶液中Co2+/(Co2++Ni2+)之比率為例如0.2%至85%，較佳為2%至70%，更佳為5%至50%，最佳為5%至35%。
    圖1展示本發明之電磁屏蔽墊料之一個實施例。如圖1中所示，電磁屏蔽墊料包含鈷/鎳電鍍發泡體1、由導電黏著劑2黏結在發泡體一側上之銅箔3、及由導電黏著劑4黏結在銅箔3上之剝離型紙5。
    圖2展示本發明之電磁屏蔽墊料之另一實施例。如圖2中所示，電磁屏蔽墊料包含鈷/鎳電鍍發泡體1、黏結在發泡體一側上之導電層6、由導電黏著劑2黏結在發泡體另一側上之銅箔3、及由導電黏著劑4黏結在銅箔3上之剝離型紙5。
    在本發明中，開孔型發泡體之Co/Ni金屬化的製備製程包括如下步驟：1.製備厚度、寬度及長度符合要求的開孔型發泡體；2.對開孔型發泡體進行預金屬化處理(PVD製程)；3.對經預處理之開孔型發泡體進行Co/Ni水溶液電鍍金屬化處理；4.乾燥；及5.輥式收集。 實例
    雖然提供以下實例以進一步說明本發明，但該等實例不會限制如所附申請專利範圍所定義之本發明範疇。 I.本發明中所使用之原料及其來源彙總於下文中。
    聚胺基甲酸酯(PU)發泡體係購自INOAC Corporation(Japan)，且其產品編號彙總於表1中。
    實例中所用之氯化鎳、硫酸鎳、硫酸鈷、硼酸及其他化學物質為工業級，且購自China National Pharmaceutical Group Corporation。 II.性質表徵方法1.殘餘變形之測試
    該測試係根據以下程序使用高精度數位厚度規(543-392BS，購自Mitutoyo Company，Japan)及四個角處用螺母固定的不鏽鋼變形保持夾具來進行。
    切割出2 in×2 in發泡體樣本且在8個均勻分佈之點處量測其自由厚度(無變形厚度)，且計算平均初始厚度T0。當無發泡體樣本置放於變形保持夾具上時，將四個角處之螺桿擰緊以使上半部與下半部緊密配合，接著量測夾具之配合厚度T1。接著，將發泡體樣本置放於變形保持夾具之中心，且將四個角處之螺桿逐漸擰緊以使夾具之量測厚度T2為T1+(T0/2)，亦即按壓發泡體且維持在50%平均初始厚度T0處。將夾持樣本之夾具置放於恆溫烘箱中，且將烘箱溫度維持在70℃±2℃下22小時。取出夾具且鬆開螺桿，接著取出發泡體樣本並在鬆弛狀態下冷卻10分鐘。在8個均勻分佈之點處量測其自由厚度(無變形厚度)，且計算平均回復厚度T3。根據下式計算殘餘變形： 2.表面電阻率之測試
    使用如MIL-G-83528標準中所規定之標準夾具，且夾具之標準重量為250 g。夾具之電極經金塗佈。所量測之電極與工件之間的接觸面積為25.4 mm×4.75 mm，且電極之間的距離為25.4 mm。將兩個電極置放於待量測電磁屏蔽墊料樣本之表面上，其中電極之間的距離為25.4 mm。在記錄兩個電極之間的電阻後即完成測試。 3.磁性之測試
    本發明中所用之磁性測試方法展示於圖3中，其中1表示NdFeB永久磁體，2表示Co/Ni電鍍發泡體樣本，V表示恆定速度，D表示發泡體樣本與NdFeB永久磁體所產生的磁場相互作用的距離。具體測試程序如下：將重量為5.5 mg至6.0 mg之發泡體置放於木桌之平坦表面上，且使NdFeB永久磁體(尺寸：2.4 cm×1.1 cm×0.3 cm，(BH)max=25 MGOe，獲自Research institute of Functional Materials of Northeast University)以1 m/min之速度向下向發泡體移動，且量測當發泡體與永久磁體相互作用時發泡體因吸引而向上移動之距離。 4.金屬含量及金屬層厚度之測試
    在本發明中，使用能量色散光譜(EDS)測試金屬含量及金屬層厚度。
    在EDS測試中，藉由使用相關掃描電子顯微鏡(SEM)可清楚看到發泡體中之織物直徑及金屬層厚度。
    儀器為獲自JEOL(Japan)之OxFord JSM 6360LV SEM。其樣本觀察面積為20 mm2。 III.實例實例1
    首先，在以下條件下對PU發泡體(MF-50P3)進行預處理PVD真空電鍍：真空度：約0.2 Pa；PVD設備外的溫度：室溫；目標材料：金屬純鎳；藉由帶式電鍍(網式塗佈)獲得鎳塗層，且將塗層控制在每平方公尺發泡體(厚度為1.8 mm)之鎳重量小於5 g的程度。
    接著，藉由使用電鍍溶液進行鈷鎳合金電鍍。電鍍溶液之組成包括：氯化鎳、硫酸鎳、硫酸鈷、硼酸、電解溶液之其他活性添加劑及純水。關於成分之比率，參看表2。電解槽中所用之陽極為鎳片，而陰極為藉由PVD預電鍍進行預處理之發泡體。槽中溶液之溫度為室溫，且工作電壓<12 V。使用卷軸型連續電鍍製程，線速度為0.6 m/min至1.5 m/min。
    接著，藉由空氣溫度為攝氏60度至攝氏80度之熱鼓風來乾燥帶。
    輥收集速度與電鍍速度相同。
    使用如部分II中所述之方法來表徵產物。藉由EDS獲得之Co/(Co+Ni)比率為31.0%。 實例2及實例3
    該程序與實例1實質上相同，除了使用具有如表2中所示之組成的電鍍溶液。實例2及實例3中由EDS獲得之Co/(Co+Ni)比率分別為22.4%及19.9%。圖4及圖5分別為實例2之SEM相片及EDS光譜。 比較實例1
    使用不含硫酸鈷之電鍍溶液來進行電鍍。
    表3展示實例1至實例3及比較實例1之壓縮性及電導率之測試結果。可見，本發明之實例1至實例3之產物展現較佳壓縮性及電導率。
    表4展示根據部分II-3中所述之方法量測的實例1至實例3及比較實例1之磁性資料。可見，本發明實例1至實例3之吸引距離與比較實例1之吸引距離相比長得多。如上文所述，此證明本發明之產物具有良好磁擴散率。
    總而言之，本發明提供一種電磁屏蔽墊料，其具有良好電導率及磁擴散率，且可同時對電場及磁場實現屏蔽功能。
    1‧‧‧鈷/鎳電鍍發泡體
    2‧‧‧導電黏著劑
    3‧‧‧銅箔
    4‧‧‧導電黏著劑
    5‧‧‧剝離型紙
    6‧‧‧導電層
    圖1為根據本發明之一個實施例之電磁屏蔽墊料之結構的示意圖。
    圖2為根據本發明之另一實施例之電磁屏蔽墊料之結構的示意圖。
    圖3為本發明中所用之磁性測試方法的示意圖。
    圖4為根據本發明之一個實施例之電磁屏蔽墊料之SEM像片。
    圖5為根據本發明之一個實施例之電磁屏蔽墊料之EDS光譜。
    1‧‧‧鈷/鎳電鍍發泡體
    2‧‧‧導電黏著劑
    3‧‧‧銅箔
    4‧‧‧導電黏著劑
    5‧‧‧剝離型紙
    权利要求:
    Claims (30)
    [1] 一種電磁屏蔽墊料，其包含：發泡體基板；及沈積於該發泡體基板上之金屬層，其中該金屬層包含鎳及鈷，且Co/(Co+Ni)之比率為0.2重量%至85重量%。
    [2] 如請求項1之電磁屏蔽墊料，其中該Co/(Co+Ni)之比率為2重量%至70重量%，較佳為5重量%至50重量%，更佳為5重量%至35重量%。
    [3] 如請求項1之電磁屏蔽墊料，其中該發泡體基板之可壓縮變形相對於初始厚度為50%或50%以上，較佳為70%或70%以上，更佳為80%或80%以上，且最佳為90%或90%以上。
    [4] 如請求項1之電磁屏蔽墊料，其中該發泡體基板之殘餘變形為50%或50%以下，較佳為30%或30%以下，更佳為20%或20%以下，且最佳為10%或10%以下。
    [5] 如請求項1之電磁屏蔽墊料，其中該發泡體基板之孔隙率為10 ppi至500 ppi，較佳為50 ppi至300 ppi，更佳為50 ppi至200 ppi，且最佳為80 ppi至150 ppi。
    [6] 如請求項1之電磁屏蔽墊料，其中該發泡體基板之厚度為0.1 mm至50 mm，較佳為0.1 mm至10 mm，更佳為0.5 mm至5 mm，且最佳為1.0 mm至3.0 mm。
    [7] 如請求項1之電磁屏蔽墊料，該發泡體基板為由彈性聚合物材料或熱彈性體藉由發泡製程製成的開孔型發泡體。
    [8] 如請求項7之電磁屏蔽墊料，其中該彈性聚合物材料為聚胺基甲酸酯、聚氯乙烯、聚矽氧樹脂、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物(EVA)、聚乙烯或其混合物。
    [9] 如請求項1之電磁屏蔽墊料，其中(Co+Ni)/發泡體之比率為1重量%至50重量%，較佳為2重量%至30重量%，更佳為3重量%至20重量%，且最佳為5重量%至10重量%。
    [10] 如請求項1之電磁屏蔽墊料，其中該金屬層之厚度為10 nm至2000 nm，較佳為50 nm至1800 nm，更佳為100 nm至1500 nm，且最佳為200 nm至1000 nm。
    [11] 如請求項1之電磁屏蔽墊料，其中該沈積於該發泡體基板上之金屬層進一步包含選自鉬、錳、銅、鉻或其組合之金屬。
    [12] 如請求項11之電磁屏蔽墊料，其中上面沈積有該金屬層之該發泡體基板中金屬總重量與發泡體重量之比率為1%至50%，較佳為2%至40%，更佳為3%至30%，最佳為5%至20%。
    [13] 如請求項1之電磁屏蔽墊料，其中進一步將聚合物層(例如聚胺基甲酸酯層)塗佈在沈積於該發泡體基板上之該金屬層上。
    [14] 如請求項1之電磁屏蔽墊料，其中將額外功能層黏著至該發泡體基板。
    [15] 如請求項14之電磁屏蔽墊料，其中該額外功能層為導電層或剝離型紙。
    [16] 如請求項14之電磁屏蔽墊料，其中該額外功能層係藉由黏著劑黏著至該發泡體基板。
    [17] 如請求項16之電磁屏蔽墊料，其中該黏著劑為導電黏著劑。
    [18] 如請求項17之電磁屏蔽墊料，其中該導電黏著劑包含丙烯酸系黏著劑及導電粒子。
    [19] 如請求項18之電磁屏蔽墊料，其中該等導電粒子之量係使得(導電粒子)/(導電粒子+黏著劑)之比率為3重量%至60重量%。
    [20] 如請求項18之電磁屏蔽墊料，其中該等導電粒子為鎳粉、銀粉、經銀塗佈之玻璃、經銀塗佈之銅粉、石墨粉(碳粉)、複合導電粒子或其組合。
    [21] 如請求項15之電磁屏蔽墊料，其中該導電層為金屬箔、金屬化織物或非編織織物。
    [22] 一種製造如請求項1之電磁屏蔽墊料的方法，該方法包含以下步驟：對發泡體基板進行預金屬化處理；及對該經預金屬化之發泡體基板進行金屬化處理，以獲得包含Co及Ni之金屬層。
    [23] 如請求項22之方法，其中該預金屬化處理係藉由真空製程來實現。
    [24] 如請求項23之方法，其中該真空製程包括真空蒸發塗佈、化學氣相沈積、電漿濺鍍或電漿化學氣相沈積。
    [25] 如請求項22之方法，其中在預金屬化處理中塗佈Ni或Pb。
    [26] 如請求項22之方法，其中該金屬化處理係藉由真空蒸發塗佈、電鍍或化學電鍍來實現。
    [27] 如請求項22之方法，其中該金屬化處理係藉由水溶液電鍍來實現。
    [28] 如請求項27之方法，其中在電鍍溶液中，Co2+/(Co2++Ni2+)之比率為0.2%至85%，較佳為2%至70%，更佳為5%至50%，最佳為5%至35%。
    [29] 如請求項22之方法，其中該金屬層進一步包含選自鉬、錳、銅、鉻或其組合之金屬。
    [30] 如請求項28之方法，其中該電鍍溶液進一步包含金屬離子，且該金屬係選自鉬、錳、銅、鉻或其組合。
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